Ukuran LED SMD 5730 Putih

S MD LED Ukuran 5730 White

5730 Kemasan Chip LED sebagai perangkat inti dari lampu jalan LED, kinerja chip LED perlu ditingkatkan dengan proses pengemasan LED untuk mencapai efek efisiensi cahaya, kehidupan, stabilitas, desain optik, dan disipasi panas. Karena struktur chip LED yang berbeda, proses pengemasan yang sesuai juga memiliki perbedaan besar. Sebagai komponen kunci dalam lampu jalan LED, 5730 pengemasan chip LED memainkan peran penting dalam meningkatkan kinerja chip LED. Efisiensi, umur, stabilitas, desain optik, dan karakteristik disipasi panas semuanya dipengaruhi secara signifikan oleh proses pengemasan LED. Penting untuk dicatat bahwa struktur chip LED yang berbeda membutuhkan proses pengemasan yang berbeda.

Dalam struktur positif dan vertikal chip LED, gallium nitrida (GAN) berinteraksi dengan fosfor dan gel silika. Sebaliknya, struktur flip-chip melihat safir bersentuhan dengan fosfor dan gel silika. GAN memiliki indeks bias sekitar 2,4, safir berada di 1,8, fosfor pada 1,7, dan gel silika biasanya bervariasi antara 1,4-1,5. Mencerminkan indeks ini, sudut kritis refleksi total safir/(silika gel + fosfor) lebih besar (51.1-70.8 °) dibandingkan dengan Gan/(silika gel + fosfor) (36.7-45.1 °).

Akibatnya, cahaya yang dipancarkan dari permukaan safir dalam struktur pengemasan menemukan sudut kritis yang lebih besar ketika melewati gel silika dan antarmuka fosfor, yang secara substansial mengurangi total hilangnya cahaya refleksi.

Selain itu, perbedaan dalam desain struktur chip LED menyebabkan varian dalam kepadatan dan tegangan arus, secara signifikan memengaruhi efisiensi cahaya chip LED. Sebagai ilustrasi, chip konvensional, yang dimuat secara positif biasanya memiliki tegangan melebihi 3.5V. Sementara itu, desain elektroda struktur flip-chip memastikan distribusi arus yang lebih seragam, sehingga mengurangi tegangan chip LED menjadi 2.8V-3.0V. Sebagai akibatnya, efisiensi cahaya chip flip melampaui chip positif sekitar 16-25%.

Struktur positif dan vertikal dari chip LED adalah Gan yang bersentuhan dengan fosfor dan gel silika, sedangkan struktur flip-chip adalah safir yang bersentuhan dengan fosfor dan gel silika. Indeks bias GAN adalah sekitar 2,4, indeks bias safir adalah 1,8, indeks bias fosfor adalah 1,7, dan indeks bias silika gel biasanya 1,4-1,5. Sudut kritis refleksi total dari safir/(gel silika + fosfor) dan gan/(silika gel + fosfor) adalah 51.1-70.8 ° dan 36.7-45.1 °, dan cahaya yang dipancarkan dari permukaan sapphire dalam struktur paket lewat melewati struktur paket lewat lewat, masing-masing, dan cahaya yang dipancarkan dari sapphire dalam paket paket lewat paket lewat paket dalam paket paket lewat paket dalam paket paket dalam paket paket dalam paket paket lewat paket dalam paket paket Antarmuka gel silika dan fosfor. Sudut kritis refleksi total lapisan lebih besar, dan total kehilangan cahaya cahaya sangat berkurang. Pada saat yang sama, desain struktur chip LED berbeda, menghasilkan kepadatan dan tegangan arus yang berbeda, yang memiliki efek signifikan pada efisiensi cahaya chip LED. Sebagai contoh, chip pemuatan positif konvensional biasanya memiliki tegangan lebih dari 3,5V, dan struktur flip-chip memiliki distribusi arus yang lebih seragam karena desain struktur elektroda, sehingga tegangan chip LED sangat besar Reduksi menjadi 2.8V-3.0V, oleh karena itu, dalam kasus ini, efek cahaya dari chip flip sekitar 16-25% lebih tinggi dari chip positif.

Spesifikasi S MD LED Ukuran 5730 White

Kategori Produk : Topologi LED > 5730 SMD LED